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ADI 旗下凌力尔特推出高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC700

信息来源 : 网络 | 发布时间 : 2017-09-11 16:19 | 浏?#26469;?#25968; : 1400

亚德诺半导体 (  ) 旗下尔特公司 ( Linear ) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 LTC7004,该器件用高达 60V 的电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部 N 沟道 MOSFET 开关,从而使该器件能够保持接通时间无限长。LTC7004 强大的 1Ω 栅极驱动器能够以非常短的转换时间和 35ns 传播延迟,容易地驱动栅极电容很大的 MOSFET,非常适合高频开关和静态开关应用。



LTC7004 可用来接收以地为基准的低压数字输入信号,并快速驱动一个漏极可以在 0V 至 60V (65V 绝对最大值) 的高压侧 N 沟道功率 MOSFET。LTC7004 在 3.5V 至 15V 驱动器偏置电源范围内运行,具可调欠压闭锁。当驱动 1000pF 负载时,很短的 13ns 上升和下降时间最大限度降低了开关损耗。其他特点包括可调接通转换率和可调过压闭锁。


LTC7004 采用 MSOP-10 封装,具有针对高压间隔配置的引脚。该器件有 3 种工作结?#36335;?#22260;,扩?#36141;?#24037;?#23548;?#29256;本的范围为  –40°C 至 125°C,高温汽?#23548;?#29256;本的范围为 –40°C 至 150°C,军用级的范围为 –55°C 至 125°C。千片批量的起?#25216;?#20026;?#31185;?2.05 美元。


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